FDM3300NZ
N沟道,电流:10A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDM3300NZ
- 商品编号
- C3289372
- 商品封装
- Power-33
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.61nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 440pF |
商品特性
- VGS = 4.5V、ID = 10A时,最大rDS(on) = 23 mΩ
- VGS = 2.5V、ID = 9A时,最大rDS(on) = 28 mΩ
- 静电放电(ESD)保护大于2000V
- 采用新型MLP 3.3x3.3 mm封装,低外形高度——最大1mm
- 符合RoHS标准
应用领域
- 锂离子电池组