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DMT3020LDV-7
2个N沟道 耐压:30V 电流:32A
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- 描述
- 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想之选。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT3020LDV-7
- 商品编号
- C3289384
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.094克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 393pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺设计，旨在优化特殊MLP引线框架上VGS = 2.5V时的rDS(on)，且所有漏极位于封装的一侧。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-电源管理功能-模拟开关