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DMN22M5UFG-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:27A
- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN22M5UFG-7
- 商品编号
- C3289380
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.094克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.926nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 538pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 710pF |
商品概述
最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与最先进的易用性相结合，这得益于英飞凌超过18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- 低RDS(ON)— 确保将导通状态损耗降至最低
- 小外形尺寸、散热高效的封装,可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,可使终端产品体积更小
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试 — 确保终端应用更可靠、更耐用
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器