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DMN10H120SFG-13
耐压:100V 电流:3.8A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在将导通电阻（Rₒₛ(ₒₙ)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN10H120SFG-13
- 商品编号
- C3289379
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 122mΩ@6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 549pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低RDS(ON)— 确保导通状态损耗最小化
- 小尺寸、热效率高的封装可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,可实现更小的终端产品
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
- 通过AEC - Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
-电源管理功能-DC-DC转换器