FDMC8678S
N-通道,电流:18A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC8678S
- 商品编号
- C3289371
- 商品封装
- Power-33
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 66A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.08nF |
商品概述
CoolMOS第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换流时具有出色的鲁棒性以及卓越的ESD能力。此外，极低的开关损耗和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 15 A时,最大导通电阻rDS(on) = 5.2 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 12 A时,最大导通电阻rDS(on) = 8.7 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合,实现低导通电阻rDS(on)和高效率
- 同步场效应晶体管(SyncFET)肖特基体二极管
- MSL1级坚固封装设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器的同步整流器
- 笔记本电脑Vcore/ GPU低端开关
- 网络负载点低端开关
- 电信次级侧整流