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IRF630SPBF

1个N沟道耐压:200V 电流:9A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRF630SPBF
商品编号: C3288187
商品封装: D2PAK(TO-263)
包装方式: 管装
商品毛重: 1.995克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率 MOSFET 为设计师提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D2PAK(TO - 263)是一种表面贴装功率封装,能够容纳高达 HEX - 4 的芯片尺寸。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低,D2PAK(TO - 263)适用于大电流应用,并且在典型的表面贴装应用中可耗散高达 2.0 W 的功率。

商品特性

表面贴装,提供卷带包装
动态 dv/dt 额定值
重复雪崩额定
快速开关
易于并联
驱动要求简单

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	9A
	导通电阻(RDS(on))	400mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	74W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	43nC@10V
	输入电容(Ciss)	800pF
	反向传输电容(Crss)	76pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	240pF