IRFW630BTM_FP001
N沟道MOSFET,电流:9A,耐压:200V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- IRFW630BTM_FP001
- 商品编号
- C3288215
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚中功率DFN2020M - 6（SOT1220 - 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 9.0 A、200 V,VGS = 10 V、ID = 4.5 A时,RDS(on) 最大为400 mΩ
- 低栅极电荷(典型值22 nC)
- 低Crss(典型值22 pF)
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 高效开关式DC/DC转换器
- 开关电源
- 不间断电源用DC-AC转换器
- 电机控制
相似推荐
其他推荐
- HUF76443S3ST
- FQB5N60CTM
- NVB095N65S3F
- NVB099N65S3
- NVBGS1D2N08H
- NVMFS016N10MCLT1G
- NVMFS6H836NT3G
- NTMFS5C612NLT1G-UIL5
- NVMFS3D0P04M8LT1G
- NVMFS6B05NLWFT3G
- NVMFWS2D3P04M8LT1G
- NVMFS5C442NLWFET1G
- NVMFS6H836NWFT3G
- NTMFS005P03P8ZST1G
- NTMFSC011N08M7
- NVMTS1D6N10MCTXG
- NVMTS1D1N04CTXG
- IRFR330BTM
- NVD260N65S3T4G
- NTD30N02T4G
- NTD15N06LT4G