IRFW630BTM_FP001
N沟道MOSFET,电流:9A,耐压:200V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- IRFW630BTM_FP001
- 商品编号
- C3288215
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚中功率DFN2020M - 6（SOT1220 - 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 低阈值电压
- 沟槽MOSFET技术
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装：2 × 2 × 0.65 mm
- 外露漏极焊盘，导热性能出色
应用领域
- 便携式设备充电开关-直流-直流转换器-电池供电便携式设备的电源管理-计算设备电源管理
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