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NVBGS1D2N08H实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVBGS1D2N08H

N沟道, 290A, 80V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVBGS1D2N08H
商品编号
C3288224
商品封装
D2PAK-7​
包装方式
编带
商品毛重
1.907克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)290A
导通电阻(RDS(on))1.34mΩ@10V
耗散功率(Pd)130W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)160nC@10V
输入电容(Ciss)10.83nF
反向传输电容(Crss)45pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.605nF

商品特性

  • 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
  • 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
  • 符合AEC-Q101标准
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,且符合RoHS标准

应用领域

  • 服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-电机驱动-电池充电器-太阳能(光伏逆变器)

数据手册PDF