温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMPB14XNX
1个N沟道 耐压:40V 电流:11.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装在无铅中功率 DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMPB14XNX
- 商品编号
- C3288256
- 商品封装
- DFN2020MD-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.625nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 99pF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低电容，以最小化驱动损耗
- 优化栅极电荷，以最小化开关损耗
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- CPU电源供应-DC-DC转换器