温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMPB14XNX
1个N沟道 耐压:40V 电流:11.5A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装在无铅中功率 DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMPB14XNX
- 商品编号
- C3288256
- 商品封装
- DFN2020MD-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.625nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 99pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用无引脚中功率DFN2020MD - 6(SOT1220)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
商品特性
- 开关速度极快
- 低阈值电压
- 沟槽MOSFET技术
- 可侧焊引脚,便于光学焊接检查
- 外露漏极焊盘,导热性能出色
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路
- MCG55P02A-TP
- MCG53N06A-TP
- MCG20P03-TP
- NVMFS016N10MCLT1G
- NVMFS6H836NT3G
- NTMFS5C612NLT1G-UIL5
- NVMFS3D0P04M8LT1G
- NVMFS6B05NLWFT3G
- NVMFWS2D3P04M8LT1G
- NVMFS5C442NLWFET1G
- NVMFS6H836NWFT3G
- NTMFS005P03P8ZST1G
- MCAC60N10YA-TP
- MCAC100N08Y-TP
- MCAC95N06Y-TP
- MCAC95N065Y-TP
- MCAC80N10Y-TP
- MCAC80P06Y-TP
- MCAC50P03B-TP
- AON2410
- C4H2350N05Z