PH9030AL115
N沟道,电流:63A,耐压:30V
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PH9030AL115
- 商品编号
- C3288620
- 商品封装
- LFPAK-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175359克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.565nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 186pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
Power MOS 7°是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。Power MOS 7°通过显著降低RDS(ON)和Qg，同时解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7°结合了更低的导通和开关损耗，以及先进功率技术公司（APT）专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 低开关和导通损耗,效率高
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
应用领域
- 直流-直流转换器
- 便携式设备
- 笔记本电脑
- 开关电源