NTMJS1D15N03CGTWG
N沟道 MOSFET,电流:257A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMJS1D15N03CGTWG
- 商品编号
- C3288632
- 商品封装
- LFPAK-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 257A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.6nF |
商品概述
RF3L05250CB4是一款250 W、28/32 V的LDMOS场效应晶体管，专为HF至1 GHz频率范围内的宽带通信和ISM应用而设计。它可用于AB类、B类或C类放大器，适用于所有典型调制格式。
商品特性
- 宽安全工作区,改善浪涌电流管理
- 采用先进的LFPAK封装(5x6mm),导热性能出色
- 超低导通电阻RDS(on),提高系统效率
- 这些器件无铅、无卤素/溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 热插拔应用
- 电机驱动
- 电源负载开关
- 电池管理