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NTTYS009N08HLTWG
N沟道,电流:58A,耐压:80V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTYS009N08HLTWG
- 商品编号
- C3288637
- 商品封装
- LFPAK-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 73W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@70uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.402nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 187pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10.5pF |
商品特性
- 国际标准封装
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG）
- 雪崩额定
- 低封装电感
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流-直流转换器
- 功率因数校正（PFC）电路
- 交流和直流电机驱动器
- 机器人技术和伺服控制