商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 170V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V | |
| 输入电容(Ciss) | 375pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
这款单N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的功率沟槽工艺设计，旨在优化特殊MicroFET引线框架上VGS = 1.8 V时的rDS(ON)。
商品特性
- 增强耐用性,V(BR)DSS = 170 V
- 在30MHz、50V条件下,输出功率150W,典型增益22dB
- 在175MHz、50V条件下,输出功率150W,典型增益14dB
- 出色的稳定性和低互调失真
- 共源极配置
- 提供配对产品
- 在指定工作条件下,负载电压驻波比(VSWR)能力达70:1
- 采用氮化物钝化工艺
- 难熔金金属化
- 可替代MRF151高压器件
- 符合RoHS标准
应用领域
- 宽带商业应用