商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 170V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V@100mA | |
| 输入电容(Ciss) | 375pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
这款单N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的功率沟槽工艺设计，旨在优化特殊MicroFET引线框架上VGS = 1.8 V时的rDS(ON)。
商品特性
- VGS = 4.5 V、ID = 9 A时，最大rDS(on) = 18 mΩ
- VGS = 2.5 V、ID = 7.5 A时，最大rDS(on) = 24 mΩ
- VGS = 1.8 V、ID = 7 A时，最大rDS(on) = 32 mΩ
- 低外形：新型MicroFET 1.6x1.6 Thin封装最大高度为0.55 mm
- 不含卤化化合物和氧化锑
- 人体模型（HBM）静电放电（ESD）保护等级 >2.5 kV
- 符合RoHS标准
应用领域
- 锂离子电池组
- 基带开关
- 负载开关
- 直流-直流转换