商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 880W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最小化导通电阻的同时保持卓越的开关性能。
商品特性
-低浪涌、低开关损耗。-可实现高速开关。-降低温度依赖性。
应用领域
-电机驱动-转换器-光伏、风力发电