- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
A2V09H400-04SR3
A2V09H400-04SR3
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- A2V09H400-04SR3
- 商品编号
- C3288698
- 商品封装
- NI-780S-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 105V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 102W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+225℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 栅极电压(Vgs) | -6V；10V |
商品概述
这款102 W非对称Doherty射频功率LDMOS晶体管专为覆盖720至960 MHz频率范围的蜂窝基站应用而设计。
商品特性
-先进的高性能封装内Doherty技术-更宽的负栅源电压范围,改善C类工作状态-专为数字预失真误差校正系统设计
应用领域
蜂窝基站
- MRFX1K80NR5
- MRFE6VP61K25NR6
- MMRF1020-04NR3
- AFT20P140-4WNR3
- MRF8VP13350GNR3
- A3G26H200W17SR3
- A3I20X050NR1
- BLM10D3438-70ABGZ
- BLM9H0610S-60PGY
- BLP2425M10S250PY
- FSM300
- A3G26D055N-1805
- A3G26D055N-100
- TSM085N03PQ33 RGG
- TSM085P03CV RGG
- TSM060N03PQ33 RGG
- TSM080NB03CR RLG
- TSM650N15CR RLG
- TSM110NB04LCR RLG
- TSM280NB06LCR RLG
- TSM036N03PQ56 RLG