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TSM080NB03CR RLG实物图
  • TSM080NB03CR RLG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TSM080NB03CR RLG

1个N沟道 耐压:30V 电流:59A

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描述
1个N沟道 耐压:30V 电流:59A
商品型号
TSM080NB03CR RLG
商品编号
C3288716
商品封装
PDFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.177148克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)59A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)55.6W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20nC@10V
输入电容(Ciss)1.097nF
反向传输电容(Crss)106pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)180pF

商品概述

采用最新Trench 9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET,采用坚固的LFPAK56封装。该产品经过全面设计和认证,符合AEC-Q101要求,具备高性能和耐用性。

商品特性

  • 低导通电阻RDS(ON),以最小化传导损耗
  • 低栅极电荷,实现快速功率开关
  • 100%进行了非钳位感性开关(UIS)和栅极电阻(Rg)测试
  • 工作结温达175°C
  • 符合RoHS标准
  • 根据IEC 61249 - 2 - 21标准无卤

应用领域

-直流-直流转换器-电池管理-负载开关-电机驱动

数据手册PDF