IPDQ60R010S7XTMA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:50A
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- 描述
- 适用于低频开关应用,具备最佳性价比。具有极低的导通电阻,显著提高能源效率。针对“静态开关”和大电流应用进行了优化,非常适合固态继电器和断路器设计,以及开关电源和逆变器拓扑中的线路整流。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPDQ60R010S7XTMA1
- 商品编号
- C3288752
- 商品封装
- HDSOP-22
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.866667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 694W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@3.08mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 318nC@12V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.987nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 187pF@300V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(750个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个750个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
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