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IPDQ60R010S7XTMA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:50A
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- 描述
- 适用于低频开关应用，具备最佳性价比。具有极低的导通电阻，显著提高能源效率。针对“静态开关”和大电流应用进行了优化，非常适合固态继电器和断路器设计，以及开关电源和逆变器拓扑中的线路整流。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPDQ60R010S7XTMA1
- 商品编号
- C3288752
- 商品封装
- HDSOP-22
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.866667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 694W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 318nC@12V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.987nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 187pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用最新Trench 9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET，采用铜夹LFPAK88封装。该产品经过全面设计和认证，满足并超越AEC - Q101要求，具备高性能和高可靠性。
商品特性
- CoolMOSTM S7技术可在最小的占位面积内实现10mΩ的导通电阻RDS(on)
- 在低频开关应用中具有优化的性价比
- 高脉冲电流能力
- 开尔文源极引脚可改善大电流下的开关性能
- QDPAK(PG - HDSOP - 22 - 1)封装提供顶部散热,改善了封装热性能
应用领域
- 固态继电器和断路器
- 在高功率/高性能应用(如计算机、电信、UPS和太阳能)的线路整流中用于二极管桥并联/替代
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