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IPT019N08N5ATMA1
1个N沟道 耐压:80V 电流:247A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT019N08N5ATMA1
- 商品编号
- C3288773
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.87克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 247A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 231W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 101nC | |
| 输入电容(Ciss) | 9.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 89pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流。
- 具有出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)。
- 极低的导通电阻RDS(on)。
- N沟道,常电平。
- 100%经过雪崩测试。
- 无铅镀层;符合RoHS标准。
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤。
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