SP001434884
1个N沟道 耐压:600V 电流:6.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SP001434884
- 商品编号
- C3288792
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@0.13mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 21pF |
商品概述
CoolMOS 是用于高压功率 MOSFET 的一项革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。CoolMOS CE 是一个经过性价比优化的平台,可针对消费和照明市场中对成本敏感的应用,同时仍能满足最高效率标准。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优点,且不牺牲易用性,还提供了市场上最佳的降本性能比。
商品特性
- 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,损耗极低
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 无铅电镀,无卤模塑料
- 适用于标准等级应用
应用领域
- 适配器-充电器-照明
相似推荐
其他推荐
- SP001461194
- BSP296L6433
- IPN50R800CEATMA1
- IPN80R4K5P7ATMA1
- IPN80R600P7ATMA1
- IPN60R1K5PFD7SATMA1
- IPN50R2K0CEATMA1
- IPN60R1K5CEATMA1
- BSP135IXTSA1
- BSP296NH6327
- BSP125H6433XTMA1
- BSP171PH6327
- ISS17EP06LMXTSA1
- BSS7728NH6327
- BSS138NH6433XTMA1
- SN7002IXTSA1
- BSS126IXTSA1
- BSS84PWH6327
- BSV236SPH6327
- IAUC100N04S6N028ATMA1
- ISC0703NLSATMA1
