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IPN60R1K5PFD7SATMA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:3.6A
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- 描述
- CoolIMOS是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。最新的CoolIMOS PFD7是一个经过优化的平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而量身定制，如充电器、适配器、电机驱动、照明等。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPN60R1K5PFD7SATMA1
- 商品编号
- C3288799
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.23Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.04mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 169pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF@400V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 4pF |
商品特性
- 双N沟道常电平 - 增强型模式
- 通过AEC Q101认证
- 湿度敏感度等级1（MSL1），最高回流峰值温度达260°C
- 工作温度达175°C
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试
- 适用于自动光学检测（AOI）
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