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IPN60R1K5PFD7SATMA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:3.6A
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- 描述
- CoolIMOS是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。最新的CoolIMOS PFD7是一个经过优化的平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而量身定制，如充电器、适配器、电机驱动、照明等。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPN60R1K5PFD7SATMA1
- 商品编号
- C3288799
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.23Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 169pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 4pF |
商品特性
- 由于极低的品质因数 RDS(on) * Qg 和 RDS(on) * Eoss,损耗极低
- 开关损耗 Eoss 低,热性能出色
- 快速体二极管
- RDS(on) 和封装类型选择广泛
- 集成齐纳二极管
应用领域
- 高密度充电器中使用的零电压开关(ZVS)拓扑
- 适配器
- 照明
- 电机驱动应用
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