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IPN60R1K5PFD7SATMA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:2.2A
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- 品牌名称Infineon(英飞凌)
商品型号
IPN60R1K5PFD7SATMA1商品编号
C3288799商品封装
SOT-223-3包装方式
编带
商品毛重
0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.5Ω@10V,0.7A | |
| 功率(Pd) | 6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@0.04mA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 169pF@400V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 59pF@400V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
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