IAUZ40N08S5N100ATMA1
N沟道,电流:40A,耐压:80V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUZ40N08S5N100ATMA1
- 商品编号
- C3288837
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@27uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.591nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品特性
- 电池供电应用
- 低压电机驱动
- 极低导通电阻RDS(on)
- 100%雪崩测试
- 卓越的热阻性能
- N沟道
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 额定温度175 °C
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