温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ISC060N10NM6ATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:97A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低反向恢复电荷(Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175°C工作温度。 针对高频开关和同步整流进行优化。 无铅引脚电镀；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 根据J-STD-020标准为MSL 1级
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISC060N10NM6ATMA1
- 商品编号
- C3288847
- 商品封装
- TDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 97A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V@50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 540pF |
商品特性
- 双N沟道常电平 - 增强型
- 通过AEC Q101认证
- 最高260°C峰值回流温度下达到MSL1
- 工作温度达175°C
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试
- 适用于自动光学检测（AOI）
相似推荐
其他推荐
- ISC036N04NM5ATMA1
- ISC046N04NM5ATMA1
- BSC600N25NS3G
- BSC883N03LSGATMA1
- BSC884N03MSG
- BSC019N04NSGATMA1
- BSC016N03LSGATMA1/BK
- IRLH7134TRPBF
- IPG20N04S408AATMA1
- IPG20N04S412AATMA1
- ISC011N06LM5ATMA1
- IAUC60N06S5L073ATMA1
- IAUC64N08S5L075ATMA1
- IAUC26N10S5L245ATMA1
- IPC50N04S5L5R5ATMA1
- IAUC40N08S5L140ATMA1
- IAUC50N08S5N102ATMA1
- IAUC120N04S6N010ATMA1
- IAUC100N08S5N043ATMA1
- IPC100N04S52R8ATMA1
- IPC100N04S5L1R5