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IPG20N06S2L35ATMA1
2个N沟道 耐压:55V 电流:20A
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- 描述
- 特性：双N沟道逻辑电平增强模式。 通过AEC Q101认证。 MSL1，最高峰值回流温度260℃。 工作温度175℃。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPG20N06S2L35ATMA1
- 商品编号
- C3288884
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.282058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@27uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 790pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品特性
- 双N沟道逻辑电平 - 增强型
- 通过AEC Q101认证
- 可承受最高260°C峰值回流温度的MSL1等级
- 工作温度达175°C
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%经过雪崩测试
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