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IPP80R750P7XKSA1实物图
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IPP80R750P7XKSA1

1个N沟道 耐压:800V 电流:7A

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描述
特性:同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,in,降低了 Ωg * Ciss 和 Ciss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V,且 VGS(th) 变化最小,为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。产品组合经过全面优化。应用:适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激式拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级
商品型号
IPP80R750P7XKSA1
商品编号
C3288938
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.8克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))750mΩ@10V
耗散功率(Pd)51W
阈值电压(Vgs(th))3.5V@0.14mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)17nC@10V
输入电容(Ciss)460pF
反向传输电容(Crss)9pF@500V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)9pF

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起订量:1 个50个/管

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