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IPP80N03S4L03AKSA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPP80N03S4L03AKSA1

1个N沟道 耐压:30V 电流:80A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:N-channel-Enhancement mode。 Automotive AEC Q101 qualified。 MSL1 up to 260°C peak reflow。 175°C operating temperature。 Green product (RoHS compliant)。 Ultra low Rds(on)。 100% Avalanche tested
商品型号
IPP80N03S4L03AKSA1
商品编号
C3288969
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
3.08克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))2.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)136W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@90uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)140nC@10V
输入电容(Ciss)9.75nF
反向传输电容(Crss)200pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)2.5nF

数据手册PDF