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IPAN70R360P7SXKSA1
1个N沟道 耐压:700V 电流:12.5A
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- 描述
- CoolMOS是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化的平台，适用于消费市场对成本敏感的应用，如充电器、适配器、照明、电视等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，结合了出色的性价比和最先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPAN70R360P7SXKSA1
- 商品编号
- C3289012
- 商品封装
- TO-220-FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 26.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@0.15mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 517pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
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