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IRF100P219AKMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF100P219AKMA1

1个N沟道 耐压:100V 电流:316A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:极低的导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷×导通电阻(FOM)。优化的反向恢复电荷Qrr。工作温度可达175℃。产品通过JEDEC标准验证。优化了从分销合作伙伴处的供货情况
商品型号
IRF100P219AKMA1
商品编号
C3289059
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
7克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)316A
导通电阻(RDS(on))1.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.8W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.8V@278uA
栅极电荷量(Qg)210nC@10V
输入电容(Ciss)12nF
反向传输电容(Crss)80pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)1.8nF

商品特性

-国际标准封装-高电流处理能力-快速本征二极管-雪崩额定-低导通状态漏源电阻-易于安装-节省空间-高功率密度

应用领域

-同步整流-直流-直流转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-交流电机驱动器-不间断电源-高速功率开关应用

数据手册PDF