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IMW65R030M1HXKSA1
650 V CoolSiC M1 沟槽式碳化硅功率器件
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- 描述
- 基于英飞凌20多年来开发的碳化硅技术，利用宽带隙碳化硅材料特性，具备高性能、高可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣的工作环境，能够以简化且经济高效的方式实现最高的系统效率。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMW65R030M1HXKSA1
- 商品编号
- C3289082
- 商品封装
- TO-247-3-41
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.92克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 耗散功率(Pd) | 197W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.643nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 189pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ |
- AIMW120R035M1HXKSA1
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