我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
立创商城logo
购物车0
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
IPD60R600P7ATMA1实物图
  • IPD60R600P7ATMA1商品缩略图
  • IPD60R600P7ATMA1商品缩略图
  • IPD60R600P7ATMA1商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IPD60R600P7ATMA1

1个N沟道 耐压:600V 电流:6A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
第七代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
品牌名称
Infineon(英飞凌)
商品型号
IPD60R600P7ATMA1
商品编号
C3289116
商品封装
TO-252-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.68克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))600mΩ@10V
耗散功率(Pd)30W
阈值电压(Vgs(th))4V@80uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9nC@10V
输入电容(Ciss)363pF
反向传输电容(Crss)149pF@400V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)7pF

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

  • 5.7折

    购买数量

    (2500个/圆盘，最小起订量 1 个)
    个
    起订量：1 个2500个/圆盘

    总价金额：

    ￥ 0.00

    近期成交3单