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IPD80R1K4CEATMA1
1个N沟道 耐压:800V 电流:2.3A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD80R1K4CEATMA1
- 商品编号
- C3289126
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.685克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 570pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOSTM CE 是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术。其高电压能力将安全性、性能和耐用性相结合,可实现高效稳定的设计。CoolMOSTM 800V CE 提供多种封装选择,有助于降低系统成本并实现更高功率密度的设计。
商品特性
- 高压技术
- 极高的 dv/dt 额定值
- 高峰值电流能力
- 低栅极电荷
- 低有效电容
- 符合 JEDEC 标准
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准;无卤模塑料
应用领域
- QR 反激拓扑的 LED 照明 retrofit 应用
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