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IPD80R1K4CEATMA1

1个N沟道耐压:800V 电流:2.3A

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPD80R1K4CEATMA1
商品编号: C3289126
商品封装: TO-252-3
包装方式: 编带
商品毛重: 0.685克(g)

商品参数

商品概述

最新的650 V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650 V CoolMOS CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

商品特性

超快体二极管
650 V击穿电压
同类最佳的RDS(on)
降低开关损耗
RDS(on)随温度变化小

应用领域

软开关拓扑
移相全桥（ZVS）、LLC应用 - 服务器
电信
电动汽车充电
太阳能

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	800V
	连续漏极电流(Id)	3.9A
	导通电阻(RDS(on))	1.4Ω@10V
	耗散功率(Pd)	30W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.9V@240uA
	栅极电荷量(Qg)	23nC@10V
	输入电容(Ciss)	570pF@100V
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃