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SPD50P03LGBTMA1
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 特性：P沟道增强模式。 逻辑电平。 175℃工作温度。 雪崩额定。 dv/dt额定。 高电流额定。 无铅镀铅，符合RoHS标准
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPD50P03LGBTMA1
- 商品编号
- C3289178
- 商品封装
- TO-252-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 126nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.88nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.83nF |
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