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SPD50P03LGBTMA1
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 特性：P沟道增强模式。 逻辑电平。 175℃工作温度。 雪崩额定。 dv/dt额定。 高电流额定。 无铅镀铅，符合RoHS标准
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPD50P03LGBTMA1
- 商品编号
- C3289178
- 商品封装
- TO-252-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 126nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.88nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.83nF |
商品特性
- P沟道
- 增强型
- 逻辑电平
- 175°C工作温度
- 雪崩额定值
- dv/dt额定值
- 高电流额定值
- 无铅镀覆,符合RoHS标准
- IPI023NE7N3G
- IPI65R600C6XKSA1
- IPI80CN10NG
- IPI80P03P4-05AKSA1
- SPI15N65C3
- IPI65R190C
- IPI120N10S403AKSA1
- IPI50R299CP
- IPI60R299CP
- SPB80N03S2L05
- IPB35N10S3L26ATMA1
- IPB038N12N3GATMA1
- IPB65R050CFD7AATMA1
- IPB60R280P7ATMA1
- IPB144N12N3G
- SPB18P06PGATMA1
- IPB320P10LMATMA1
- IPB015N04NGATMA1
- IPB029N06N3GATMA1
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- IPI65R190C
- IPI120N10S403AKSA1
- IPI50R299CP
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- IPB35N10S3L26ATMA1
- IPB038N12N3GATMA1
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- IPB60R280P7ATMA1
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- SPB18P06PGATMA1
- IPB320P10LMATMA1
- IPB015N04NGATMA1
- IPB029N06N3GATMA1
- IPB024N08N5
- IPB65R090CFD7ATMA1