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SPI15N65C3

N沟道,电流:15A,耐压:650V

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: SPI15N65C3
商品编号: C3289195
商品封装: TO-262-3-1
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是专门针对移相全桥（ZVS）和LLC等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷（Q₍g₎）、拥有同类最佳的反向恢复电荷（Q₍rr₎）并改善了关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势，同时具备出色的硬换相鲁棒性，且不影响设计导入过程的简易性。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。总体而言，CoolMOS CFD7使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便且更凉爽。

商品特性

低栅极电荷
极高的dv/dt额定值
高峰值电流能力
符合JEDEC工业级应用标准
无铅引脚镀层;符合RoHS标准;无卤模塑料

应用领域

笔记本电脑适配器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	15A
	导通电阻(RDS(on))	280mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	156W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.9V
	栅极电荷量(Qg)	63nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.6nF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	540pF