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IPB029N06N3GATMA1

1个N沟道耐压:60V 电流:120A

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPB029N06N3GATMA1
商品编号: C3289224
商品封装: TO-263-3
包装方式: 编带
商品毛重: 2.01克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的后续产品。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换相时的出色耐用性以及优秀的静电放电（ESD）能力。此外，极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

商品特性

适用于高频开关和同步整流。
针对DC/DC转换器优化的技术。
出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)。
极低的导通电阻RDS(on)。
N沟道,常电平。
100%雪崩测试。
无铅镀层;符合RoHS标准。
根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。
根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。

应用领域

功率因数校正（PFC）级
硬开关脉宽调制（PWM）级
谐振开关级
电脑主机
适配器
液晶（LCD）和等离子（PDP）电视
照明
服务器
电信
不间断电源（UPS）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	120A
	导通电阻(RDS(on))	3.2mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	188W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	165nC@10V
	输入电容(Ciss)	13nF
	反向传输电容(Crss)	73pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	2.9nF