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BUZ30AH3045A

N沟道,电流:21A,耐压:200V

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: BUZ30AH3045A
商品编号: C3289243
商品封装: TO-263
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，基于超结（SJ）原理设计。最新的 CoolMOS™ P7 是一个经过优化的平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而定制，如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，同时拥有出色的性价比和一流的易用性。这项技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

商品特性

由于极低的品质因数 RDS(on) * Qg 和 RDS(on) * Eoss，损耗极低
出色的热性能
集成 ESD 保护二极管
低开关损耗（Eoss）
产品符合 JEDEC 标准进行验证

应用领域

用于充电器、适配器、照明应用的反激式拓扑结构

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	21A
	导通电阻(RDS(on))	130mΩ@10V,13.5A
	耗散功率(Pd)	125W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V@1mA
	输入电容(Ciss)	1.9nF
	反向传输电容(Crss)	400pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道