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IPB039N10N3GATMA1实物图
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IPB039N10N3GATMA1

1个N沟道 耐压:100V 电流:160A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 高电流能力。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
商品型号
IPB039N10N3GATMA1
商品编号
C3289285
商品封装
TO-263-7​
包装方式
编带
商品毛重
2.11克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)160A
导通电阻(RDS(on))3.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)214W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V@160uA
栅极电荷量(Qg)117nC@10V
输入电容(Ciss)8.41nF
反向传输电容(Crss)41pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)1.61nF

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