IPB039N10N3GATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:160A
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- 描述
- 特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 高电流能力。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB039N10N3GATMA1
- 商品编号
- C3289285
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@160uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 117nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.61nF |
优惠活动
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