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IPB060N15N5ATMA1
1个N沟道 耐压:150V 电流:136A
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- 描述
- 特性：出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 极低的反向恢复电荷（Qrr）。 175℃工作温度。 无铅负载电镀；符合RDL标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB060N15N5ATMA1
- 商品编号
- C3289298
- 商品封装
- TO-263-7-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 136A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.3nF |
商品特性
- 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 极低的反向恢复电荷(Qrr)
- 175 °C工作温度
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行了认证
- 非常适合高频开关和同步整流
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
应用领域
- 电池管理-负载开关
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