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BSZ021N04LS6ATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:147A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ021N04LS6ATMA1
- 商品编号
- C3289323
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 147A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 900pF |
商品概述
FDMS0348专为最大限度降低功率转换应用中的损耗而设计。结合了硅和封装技术的先进成果，在保持出色开关性能的同时，实现了最低的漏源导通电阻（rDS(on)）。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 14 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 7.0 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V、漏极电流（ID） = 11.5 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 11.0 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合，实现低漏源导通电阻（rDS(on)）和高效率
- MSL1坚固封装设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步降压为核心处理器供电的低端
- 次级侧同步整流器
- 负载点（POL）DC/DC转换器中的低端开关
- 或门场效应管/负载开关
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