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IPL60R085P7AUMA1

1个N沟道耐压:600V 电流:39A

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描述: CoolMOS 第 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPL60R085P7AUMA1
商品编号: C3289358
商品封装: VSON-4
包装方式: 编带
商品毛重: 0.632979克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOSTM 第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计。600V CoolMOSTM P7系列是CoolMOSTM P6系列的继任者。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合,例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换相时具有出色的耐用性以及卓越的静电放电(ESD)能力。此外,极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

商品特性

由于具有出色的换相耐用性,适用于硬开关和软开关(PFC和LLC)
显著降低开关损耗和传导损耗
所有产品的ESD耐用性极佳,>2kV(HBM)
低RDS(on)A(低于1欧姆平方毫米)使产品的RDS(on)/封装比竞品更优
完全符合JEDEC工业应用标准

应用领域

用于PC主机、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)等的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	39A
	导通电阻(RDS(on))	85mΩ
	耗散功率(Pd)	154W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	51nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.18nF
	工作温度	-40℃~+150℃
	输出电容(Coss)	37pF