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IPL60R125P7AUMA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:78A
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- 描述
- CoolMOS 7 代平台是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPL60R125P7AUMA1
- 商品编号
- C3289363
- 商品封装
- VSON-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 111W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.544nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 523pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 26pF |
商品特性
- 由于出色的换流鲁棒性,适用于硬开关和软开关(PFC和LLC)
- 显著降低开关损耗和导通损耗
- 所有产品的ESD鲁棒性极佳,>2kV(HBM)
- 低RDS(on)A(低于1欧姆平方毫米)使产品的RDS(on)/封装性能优于竞争对手
- 完全符合JEDEC工业应用标准
应用领域
-用于PC电源、适配器、LCD与PDP电视、照明、服务器、电信和UPS等的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。