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IPL60R125P7AUMA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:78A
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- 描述
- CoolMOS 7 代平台是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPL60R125P7AUMA1
- 商品编号
- C3289363
- 商品封装
- VSON-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 111W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.41mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.544nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 523pF@400V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 26pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 超小尺寸，外形为0.8 mm x 0.6 mm
- 超薄设计，最大高度0.4 mm
- 典型ESD保护能力1000 V（HBM）
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 负载开关-高速开关-DC/DC转换器-电池供电和移动设备