温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 10W |
商品概述
射频功率晶体管,专为工作频率在960至1400 MHz之间、占空比为1%至20%的应用而设计。该器件适用于脉冲应用。
商品特性
- 具备串联等效大信号阻抗参数特性
- 最高可在50 VDD电压下工作
- 集成静电放电保护
- 更宽的负栅源电压范围,改善C类工作性能
- 符合RoHS标准
- 采用卷带包装。后缀R4表示每7英寸、12 mm卷盘装100个器件。
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 10W |
射频功率晶体管,专为工作频率在960至1400 MHz之间、占空比为1%至20%的应用而设计。该器件适用于脉冲应用。