- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 10W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 9.55pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.1pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.38pF | |
| 栅极电压(Vgs) | - |
商品概述
射频功率晶体管,专为工作频率在960至1400 MHz之间、占空比为1%至20%的应用而设计。该器件适用于脉冲应用。
商品特性
- 具备串联等效大信号阻抗参数特性
- 最高可在50 VDD电压下工作
- 集成静电放电保护
- 更宽的负栅源电压范围,改善C类工作性能
- 符合RoHS标准
- 采用卷带包装。后缀R4表示每7英寸、12 mm卷盘装100个器件。
- MMRF1014NT1
- AFT27S006NT1
- FDMS9408-F085
- DMP3007SFG-7
- DMN10H120SFG-13
- DMT3020LDV-7
- DMP3011SFVWQ-7
- DMT47M2SFVWQ-7
- DMTH4007LPSQ-13
- SIZ240DT-T1-GE3
- SIZF918DT-T1-GE3
- SIZF928DT-T1-GE3
- SIUD406ED-T1-GE3
- SIHK045N60E-T1-GE3
- SISA40DN-T1-GE3
- SIS126DN-T1-GE3
- SIS429DNT-T1-GE3
- SISA14BDN-T1-GE3
- SIS862ADN-T1-GE3
- SIS590DN-T1-GE3
- SISS92DN-T1-GE3