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AFT27S006NT1
N沟道 耐压:65V
- 描述
- 该产品是一款28.8 dBm的射频功率LDMOS晶体管，专为覆盖728至3700 MHz频率范围的蜂窝基站应用而设计。
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- AFT27S006NT1
- 商品编号
- C3289370
- 商品封装
- PLD-1.5W
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@7.7uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是专门针对移相全桥（ZVS）和LLC等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、拥有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）并改善了关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合，且在设计导入过程中易于实施。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。总体而言，CoolMOS CFD7使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便且更凉爽。
商品特性
~~- 超快体二极管-低栅极电荷-同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)-改善了MOSFET反向二极管的dv/dt和diF/dt鲁棒性-最低的品质因数RDS(ON)*Qg和RDS(ON)*Eoss-SMD和THD封装中同类最佳的RDS(ON)
应用领域
- 软开关拓扑
- 移相全桥（ZVS）、LLC应用——服务器、电信、电动汽车充电