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AFT27S006NT1
N沟道 耐压:65V
- 描述
- 该产品是一款28.8 dBm的射频功率LDMOS晶体管，专为覆盖728至3700 MHz频率范围的蜂窝基站应用而设计。
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- AFT27S006NT1
- 商品编号
- C3289370
- 商品封装
- PLD-1.5W
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
商品概述
这款28.8 dBm射频功率LDMOS晶体管专为覆盖728至3700 MHz频率范围的蜂窝基站应用而设计。
商品特性
- 更大的负栅源电压范围,改善C类工作状态
- 专为数字预失真误差校正系统设计
- 通用宽带驱动器
应用领域
-蜂窝基站