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MMRF1014NT1
N沟道 耐压:68V 电流:无
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- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- MMRF1014NT1
- 商品编号
- C3289369
- 商品封装
- PLD-1.5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.256克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
专为 A 类或 AB 类功率放大器应用而设计,适用于频率高达 2000 MHz 的情况。适用于模拟和数字调制以及多载波放大器应用。
商品特性
- 具备串联等效大信号阻抗参数特性
- 片上射频反馈以实现宽带稳定性
- 集成静电放电(ESD)保护
- 采用卷带包装。后缀 T1 表示 1000 个单位,卷带宽度为 16 mm,采用 7 英寸卷盘。
- AFT27S006NT1
- FDMS9408-F085
- FDPC1012S
- DMP3007SFG-7
- DMN10H120SFG-13
- DMT3020LDV-7
- DMP3011SFVWQ-7
- DMT47M2SFVWQ-7
- DMTH4007LPSQ-13
- SIZ240DT-T1-GE3
- SIZF918DT-T1-GE3
- SIZF928DT-T1-GE3
- SIUD406ED-T1-GE3
- SIHK045N60E-T1-GE3
- SISA40DN-T1-GE3
- SIS126DN-T1-GE3
- SIS429DNT-T1-GE3
- SISA14BDN-T1-GE3
- SIS862ADN-T1-GE3
- SIS590DN-T1-GE3
- SISS92DN-T1-GE3