DMTH43M8LFG-7
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,适用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH43M8LFG-7
- 商品编号
- C3289382
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.798nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 互补 P + N 沟道
- 增强型
- 逻辑电平(额定 4.5V)
- 雪崩额定
- 符合 AEC Q101 标准
- 100% 无铅;符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249 - 2 - 21 标准无卤
应用领域
-直流-直流转换器-电源管理
- DMT3020LDV-7
- DMP3011SFVWQ-7
- DMT47M2SFVWQ-7
- DMTH4007LPSQ-13
- SIZ240DT-T1-GE3
- SIZF918DT-T1-GE3
- SIZF928DT-T1-GE3
- SIUD406ED-T1-GE3
- SIHK045N60E-T1-GE3
- SISA40DN-T1-GE3
- SIS126DN-T1-GE3
- SIS429DNT-T1-GE3
- SISA14BDN-T1-GE3
- SIS862ADN-T1-GE3
- SIS590DN-T1-GE3
- SISS92DN-T1-GE3
- SISS80DN-T1-GE3
- SISS71DN-T1-GE3
- SISS70DN-T1-GE3
- SIS888DN-T1-GE3
- SISS54DN-T1-GE3


