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BSZ0501NSIATMA1
1个N沟道 耐压:30V 电流:123A
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- 描述
- 特性：针对高性能降压转换器进行了优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5V。100%雪崩测试。N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格认证。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ0501NSIATMA1
- 商品编号
- C3289324
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 123A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 730pF |
商品特性
- 针对同步应用进行优化
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 100%雪崩测试
- 出色的热阻性能
- N沟道
- 按照JEDEC¹标准针对目标应用进行认证
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 按照IEC61249-2-21标准无卤素
- 额定温度175 °C
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