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BSZ100N06NSATMA1
1个N沟道 耐压:60V 电流:46A
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- 描述
- 特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100% 雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N 沟道。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤素
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ100N06NSATMA1
- 商品编号
- C3289333
- 商品封装
- TSDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V@14uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 263pF |
商品特性
- 用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
- N沟道 - 增强模式 - 正常电平
- 最高260°C峰值回流温度的MSL1
- 175°C工作温度
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试
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