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IPL65R200CFD7AUMA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:14A
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- 描述
- 最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，其在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥 (ZVS)）中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向稳健性相结合。该技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPL65R200CFD7AUMA1
- 商品编号
- C3289352
- 商品封装
- VSON-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 81W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.044nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 424pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 19pF |
商品概述
CoolMOS是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是专门针对移相全桥（ZVS）和LLC等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、拥有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）并改善了关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，且在设计导入过程中易于实施。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。总体而言，CoolMOS CFD7使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便且更凉爽。
商品特性
- 超快体二极管
- 650 V击穿电压
- 同类最佳的RDS(on)
- 降低开关损耗
- RDS(on)随温度变化小
应用领域
- 软开关拓扑
- 移相全桥(ZVS)、LLC应用 - 服务器
- 电信
- 电动汽车充电
- 太阳能