BSL207NL6327
双N沟道,电流:2.1A,耐压:20V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSL207NL6327
- 商品编号
- C3289350
- 商品封装
- TSOP-6-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 419pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 152pF |
商品概述
650V CoolMOS CFD7A 具备集成式快速体二极管，可用于 PFC 以及零电压开关（ZVS）移相全桥和 LLC 等谐振开关拓扑。
商品特性
- 双N沟道
- 增强型
- 超逻辑电平(额定2.5V)
- 雪崩额定
- 符合AEC Q101标准
- 100%无铅;符合RoHS标准
应用领域
- 单向和双向 DC-DC 转换器
- 车载电池充电器