温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IQE008N03LM5CGATMA1
1个N沟道 耐压:30V 电流:253A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 在VDS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%经过雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQE008N03LM5CGATMA1
- 商品编号
- C3289351
- 商品封装
- TTFN-9-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 253A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.4nF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单