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IQE008N03LM5CGATMA1
1个N沟道 耐压:30V 电流:253A
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- 描述
- 特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 在VDS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%经过雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQE008N03LM5CGATMA1
- 商品编号
- C3289351
- 商品封装
- TTFN-9-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 253A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.4nF |
商品概述
该器件专为提高 DC/DC 转换器的效率而设计。采用 MOSFET 制造新技术，对栅极电荷和电容的各个组成部分进行了优化，以降低开关损耗。低栅极电阻和极低的米勒电荷使该器件在自适应和固定死区时间栅极驱动电路中均能实现出色性能。同时，保持了极低的漏源导通电阻（rDS(on)），使其成为一款功能极为多样的器件。
商品特性
- 针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步/整流应用。
- 在 VGS = 4.5 V 时,导通电阻RDS(ON)极低。
- 经过 100% 雪崩测试。
- 出色的热阻性能。
- N 沟道。
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。
- 根据 IEC61249 - 2 - 21 标准为无卤产品。
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 笔记本电脑 CPU 电源
- 多用途负载点