BSZ065N03LSATMA1
1个N沟道 耐压:30V 电流:49A
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- 描述
- 特性:针对高性能降压转换器(服务器、VGA)进行优化。高频开关电源的超低FOMoss。高频开关电源的低FOMsw。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(FOM)。在VGS = 4.5 V时极低的导通电阻RDS(on)。100%雪崩测试。卓越的热阻。N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。无铅引脚镀层;符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ065N03LSATMA1
- 商品编号
- C3289334
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 891pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 359pF |
商品特性
- 针对高性能降压转换器优化的同步场效应晶体管(SyncFET)
- 集成单片肖特基类二极管
- 在VGS = 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)
- 经过100%雪崩测试
- 出色的热阻性能
- N沟道
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤
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