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BSZ065N03LSATMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSZ065N03LSATMA1

1个N沟道 耐压:30V 电流:49A

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描述
特性:针对高性能降压转换器(服务器、VGA)进行优化。高频开关电源的超低FOMoss。高频开关电源的低FOMsw。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(FOM)。在VGS = 4.5 V时极低的导通电阻RDS(on)。100%雪崩测试。卓越的热阻。N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。无铅引脚镀层;符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
商品型号
BSZ065N03LSATMA1
商品编号
C3289334
商品封装
TSDSON-8FL​
包装方式
编带
商品毛重
1.33克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)49A
导通电阻(RDS(on))8.6mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)26W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13nC@10V
输入电容(Ciss)891pF
反向传输电容(Crss)40pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)359pF

商品特性

  • 针对高性能降压转换器优化的同步场效应晶体管(SyncFET)
  • 集成单片肖特基类二极管
  • 在VGS = 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)
  • 经过100%雪崩测试
  • 出色的热阻性能
  • N沟道
  • 针对目标应用通过JEDEC认证
  • 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
  • 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤

数据手册PDF