温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IQE008N03LM5ATMA1
1个N沟道 耐压:30V 电流:27A 电流:253A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQE008N03LM5ATMA1
- 商品编号
- C3289345
- 商品封装
- TSON-8-EP(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 253A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.4nF |
商品概述
专为 A 类或 AB 类功率放大器应用而设计，适用于频率高达 2000 MHz 的情况。适用于模拟和数字调制以及多载波放大器应用。
商品特性
- 针对高性能开关模式电源(SMPS)优化,例如同步/整流应用。
- 在VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(on)极低
- 经过100%雪崩测试
- 出色的热阻性能
- N沟道
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤
相似推荐
其他推荐
- IQE013N04LM6ATMA1
- IQE065N10NM5ATMA1
- BSL205NL6327
- BSL308CH6327XTSA1
- BSL207NL6327
- IQE008N03LM5CGATMA1
- IPL65R200CFD7AUMA1
- IPL60R085P7AUMA1
- IPL65R095CFD7AUMA1
- IPL65R160CFD7AUMA1
- IPL60R125P7AUMA1
- IRFH8337TRPBF
- ISK024NE2LM5AULA1
- IRF3575DTRPBF
- IRFH8316TRPBF-IR
- IRFH7194TRPBF
- BTS282ZDELCO
- IRF8736PBF
- IRF7834TRPBF
- IRF7456PBF
- AUIRF7207Q